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ncep60t20参数,ncep60t20代换,60V 200A现货直销-KIA MOS管

ncep60t20代换场效应管KNX1906漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为230A；RDS (on) = 2.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX1906具有无铅绿色设备、降低导电损耗、高雪崩电流等特性，最大限度地减少导通电阻，可提供最高效的高频开关性能。

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www.kiaic.com/article/detail/4630.html 2023-11-29

igbt和mos管的区别、优缺点详解-KIA MOS管

MOS管即MOSFET，又叫绝缘栅场效应管，是场效应管的一种类型。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

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www.kiaic.com/article/detail/4629.html 2023-11-29

全桥驱动电路图,全桥驱动电路原理-KIA MOS管

该电路采用三相六臂全桥驱动方式，采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动，使得电机输出较大的转矩。

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www.kiaic.com/article/detail/4628.html 2023-11-29

irf3205场效应管,3205场效应管参数,irf3205场效应管代换-KIA MOS管

irf?3205场效应管代换KNX3206A漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为110A；RDS (on) = 6.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3206A具有低RDS（ON)以减小导电损耗、低门电荷在快速开关中的应用、优化的BVDSS性能等特性，导通电阻极低，适用于逆变器、电机速度控制器、DC-DC 转...

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www.kiaic.com/article/detail/4627.html 2023-11-28

【半导体知识】有源器件和无源器件-KIA MOS管

常见的有源元件包括晶体管、集成电路等。有源元器件是电子线路的核心，一切振荡、放大、调制、解调，以及电流变换都离不开有源元器件。无源元件包括电容器、电阻器等。

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www.kiaic.com/article/detail/4626.html 2023-11-28

结温,junction temperature,半导体结温-KIA MOS管

结温（Junction Temperature）是电子设备中半导体（晶圆、裸片）的实际工作温度。它通常较封装外壳温度（Case Temperature）高。温度差等于其间热的功率乘以热阻。

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www.kiaic.com/article/detail/4625.html 2023-11-28

hy1603参数,hy1603引脚图,hy1603场效应管代换-KIA MOS管

hy1603场效应管代换KNX3403A漏源击穿电压30V，漏极电流最大值为85A；RDS (on) = 4.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3403A具有无铅绿色设备、降低导电损耗、高雪崩电流等特性，最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能。

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www.kiaic.com/article/detail/4624.html 2023-11-27

ac/dc电源,acdc电源模块原理、电路-KIA MOS管

AC/DC即为将交流变换为直流，其功率流向可以是双向的，功率流由电源流向负载的称为“整流”，功率流由负载返回电源的称为“有源逆变”。

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www.kiaic.com/article/detail/4623.html 2023-11-27

门电路符号大全,门电路符号图解-KIA MOS管

常用的门电路在逻辑功能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等几种。逻辑门电路通常使用晶体管、集成电路或其他电子元件实现。

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www.kiaic.com/article/detail/4622.html 2023-11-27

RU6070L场效应管参数,RU6070L场效应管代换3506A-KIA MOS管

KIA3506A漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试；KIA3506A可以代换RU6070L、CEP6086、STF140N6F7等锐骏、CET华瑞、ST意法半导体品牌场效应管型号进行使用，国产原厂直销高性价比。

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www.kiaic.com/article/detail/4621.html 2023-11-24